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  早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿式蚀刻,即利用特定的化学溶液将待蚀刻薄膜未被光阻覆盖的部分分解,并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除,而达到蚀刻的目的。湿式蚀刻的进行主要是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反应,因此可藉由调配与选取适当的化学溶液,得到所需的蚀刻速率(Etching Rate),以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比(Selectivity)。

  然而,孕早期可以用暖风机吗随着积体电路中的元件尺寸越做越小,由于化学反应没有方向性,因而湿式蚀刻是等向性(Isotropic)的,此时,当蚀刻溶液做纵向蚀刻时,侧向的蚀刻将同时发生,鼓风机家用进而造成底切(Undercut)现象,孕早期可以用暖风机吗导致图案线宽失真。因此湿式蚀刻在次微米元件的制程中已被干式蚀刻所取代。

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